来自正东阳公司的声音
——一个顶级无赖恶棍陶伟的真实嘴脸写真（1）

　　
dark_horse001说：“……该犯罪嫌疑人叫陶伟，属于一个小公司北京市正东阳建筑设计有限公司（好像改叫北京正东国际建筑工程设计有限公司了），听说还曾受到朝阳区税务稽查部门的查处、重罚。其实该犯罪嫌疑人其人其事都是根本不值得大家知道的东西，可他却通过针对著名学府的欺诈犯罪并“折腾 ”著名学府这种方式让自己为不少人所知，不知这是否就是他的主要目的？” —— 说的对，这就是陶伟的目的之一。

近日才知道那个无赖陶伟又在撒野，真是活得不自在啊！ 凡是不幸与无赖陶伟共事过的人全都知道那是个无恶不作的职业骗子，谁被他骗去粘着谁就倒霉，我们多位同事都是亲身经历者，有兴趣的朋友可以去访问曾在北京市正东阳建築设计有限公司及北京正东国际建築工程设计有限公司工作过的人士以及曾经被陶伟先骗作“朋友”然后即遭其恶意诈骗过的各类绅士，必要时我们可提供名单。他们中好几个人都已经与那混蛋陶伟打过官司，有的正在打，还有人即将控告他的新罪行，而且好几个人都暴揍过那个恶棍。

我们早就听说骗子陶伟好几年前（距今约十年了）费尽心机精心策划、蓄意设局诈骗清华大学的吕振华教授，结果把戏演砸了，骗局被人家揭穿了，并因在诈骗过程中所犯的几项经济违法、犯罪案件而被工商局和公安局查处了，随之又栽进“号子”里了，在很长的“取保候审”期内被限制了行动自由，随时听候审讯，直到现在一直是犯罪嫌疑人！可那混账东西不思悔改，至今还丧心病狂地报复、危害、骚扰人家吕教授和清华大学，看来一点也没有接受教训，真是彻底没救了！ 他所犯的那些罪案应该快被清算了，而且老债新帐会被一起算，结果足够让他去强制悔过好多年了。真可谓偸鸡不成反蚀一碗米。

看到有混蛋近期在网络上散步了许多无中生有地恶意诽谤诬陷清华大学和吕教授等人的荒唐文字，显然是犯罪行为啊（请参阅《刑法》），肯定与我们所知道的一个无赖恶棍有关，正常人是不可能搞这种穷凶极恶的“自杀式”攻击的，这分明是犯罪分子的绝望挣扎吧。

陶伟那混蛋长期不断被各种官司和纠纷缠身，几次被公安机关拘留，早已死皮赖脸，毫无对法律的敬畏意识。在面临法律追究时，那家伙常说：不就是坐几年牢嘛！ 一副死猪不怕开水烫的无赖架势。在有人当面唾骂其欺骗欺诈、伪造事实、报复证人、损人利己等无赖行径、违法犯罪行为时，他竟然无耻地声称：我就是个无赖、小人，你们不要把我当成好人来要求……。 那恶棍还经常嚎叫着威胁别人：“白刀子进去、红刀子出来”等。所以大家背后都说他纯粹是一个坐牢的坯子，进监狱是必然的结果，可能监狱对他是最适合的地方！

面对陶伟这样一个恶棍，正确、有效的做法就是直接追究其违法犯罪行为的法律责任，少与他废话、浪费时间。不知吕教授他们是否就是这样做的？ 最好是大家合力控告、起诉他，以尽快将其再送进监狱，并可判处尽可能长的徒刑，让其依法受到应得的严惩！

“……尽管那厮已因各种违法犯罪行为而被公安机关多次拘押过，至今仍是戴罪之身，却对吕教授等人以及合作方清华大学进行了长期的骚扰、威胁和报复，一直持续到现在，校内有关单位和管理部门的许多负责人都遭到该犯罪嫌疑人的长期无休止的电话和登门骚扰，大家在百忙之中经常被迫应付那个似乎无所事事、游手好闲而又病态、疯狂的家伙的纠缠，对其极端卑劣、无赖的行径十分了解，而且他们的工作、生活因此受到极大干扰，所以对该犯罪嫌疑人十分厌恶、鄙视。清华的很多师生和领导都知道此事，并且知道该犯罪嫌疑人叫陶伟，属于一个小公司北京市正东阳建筑设计有限公司（好像改叫北京正东国际建筑工程设计有限公司了），听说还曾受到朝阳区税务稽查部门的查处、重罚。……”——red_horse002所言甚是。

那个姓陶的家伙（正式称呼应为犯罪嫌疑人）还给我们许多教师寄了诽谤诬告吕老师的一名研究生所写的论文的信件，妄想以此损害吕老师，并先后给每个教师邮寄过好几封（其中的很多文字与网络上匿名散布的相关诽谤性网页的相同），可见其丧心病狂的程度。那家伙谎称自己是一个科技工作者，其实素质极其低下，近乎目不识丁，所以指鹿为马，结果自取其辱！特别搞笑的是，该犯罪嫌疑人在信中说，当年公安局抓捕拘留他时，他“正在作为北京十大杰出青年的候选人”，可是“昌平区公安局在不明事实的情况下，于2005年6月22日突然将陶伟拘留（查无实据后释放）。” 这一看便知是一个没文化、没知识的氓流胡编乱造的瞎话，因此无人当真，更不可能有人相信。试想，一个多次被警察抓去蹲监、还曾受到税务稽查部门查处、重罚的劣迹累累的不法小奸商会成为北京十大杰出青年“候选人”吗？这简直是对诸多“北京十大杰出青年”候选人的莫大侮辱！ 再则，堂堂北京市公安局昌平分局怎么可能“在不明事实的情况下”抓捕拘留一个经济犯罪嫌疑人？ 而且“查无实据后释放”的说法更是纯粹的瞎话，实际上是在被拘押两周之后变更为了“取保候审”的犯罪嫌疑人，至今仍继续受到公安机关的追究。他的瞎话显然是对公安机关的严重诽谤诬陷！可惜该犯罪嫌疑人实在是太弱智、太缺乏基本常识了。如果他所言为实，岂不应该追究公安局？他自己何必天天担心会再去坐牢呢？

从上面所举的一个例子，大家可更深入地了解该犯罪嫌疑人的真实面目。至于该犯罪嫌疑人在上述诽谤诬告信件中的更多令人啼笑皆非的胡言乱语，待有时间时再继续给大家做些剖析。我们几位知情的同事在一起谈论起此事时，有人调侃道，虽然那个家伙梦想成为什么“候选人”纯属自欺欺人的瞎话，但他若能成为一个可被改造好的坏人，不要再继续恶意危害他人和公共秩序，就算是他对社会的巨大贡献了。不过大家均对此不抱希望，因为我们看到的是该犯罪嫌疑人不断违法犯罪、快步走向监狱的迫切行动，包括此次对吕老师的丧心病狂的报复性攻击，显然又犯下了新的刑事罪行，肯定会受到严惩。

上述实例也可使大家更加明白信息互联网上匿名散布的这些胡编乱造的恶意诽谤、诬陷吕老师的网页内容都是怎样被制造出来的，其中同样是满篇假话，完全没有事实根据。那个编造、散布这些恶意诽谤、诬陷信息的丧心病狂的故意犯罪者所能获得的只能是数年的徒刑！

近日到清华大学一趟，听说了吕振华教授近期受到恶意诽谤攻击的事情，很感意外，随后浏览了一下有关信息，更感惊讶！凭所知的一些法律常识，马上意识到这是严重的诽谤侮辱甚至诬告陷害行为，已构成刑事犯罪。
　　
　　通过向清华里的知情人了解，才知吕教授在前些年负责的一项清华大学对外技术开发合作项目中遭受一个小奸商“合作方”的严重欺诈，当时昌平区公安局将那个在“合作项目”中犯有严重经济罪行的无赖奸商绳之以法，施行了拘留羁押。后来该犯罪嫌疑人被取保候审才走出了昌平南口监狱“号子”。尽管那厮已因各种违法犯罪行为而被公安机关多次拘押过，至今仍是戴罪之身，却对吕教授等人以及合作方清华大学进行了长期的骚扰、威胁和报复，一直持续到现在，校内有关单位和管理部门的许多负责人都遭到该犯罪嫌疑人的长期无休止的电话和登门骚扰，大家在百忙之中经常被迫应付那个似乎无所事事、游手好闲而又病态、疯狂的家伙的纠缠，对其极端卑劣、无赖的行径十分了解，而且他们的工作、生活因此受到极大干扰，所以对该犯罪嫌疑人十分厌恶、鄙视。清华的很多师生和领导都知道此事，并且知道该犯罪嫌疑人叫陶伟，属于一个小公司北京市正东阳建筑设计有限公司（好像改叫北京正东国际建筑工程设计有限公司了），听说还曾受到朝阳区税务稽查部门的查处、重罚。其实该犯罪嫌疑人其人其事都是根本不值得大家知道的东西，可他却通过针对著名学府的欺诈犯罪并“折腾”著名学府这种方式让自己为不少人所知，不知这是否就是他的主要目的？
　　
　　了解此背景的人自然清楚胡编乱造并大量散布前面这些无中生有的恶意诽谤诬陷信息的是什么人。这些诽谤性文章不仅没有事实根据，而且从其文笔之低劣程度即知出自社会流痞无赖之手。其实读过这些所谓的“爆料”文章的人，从其文字一看便知是胡编乱造的，再略加逻辑思考和法律分析则更可明确那些全都不可能是真事，在此就不必详细剖析了，相信网友们有足够的判断能力。
　　
　　也许令人奇怪的是，为什么那诽谤诬陷者如此嚣张、肆无忌惮，难道不怕被追究刑事责任而坐牢吗？按照正常人的思维恐怕很难理解，我想大概有两种可能性。第一，他可能认为受害人、甚至警察也无法找到“匿名”发帖人/跟帖人/转发人（其实都是他自己及雇用的枪手），这也许符合他及他们的智商水平，但可惜他们比蠢猪还蠢！第二，他可能自知已经是有罪之人，横竖免不了再进“号子”，也就不怕多坐几年牢、甚至想多坐几年牢（因为在“号子”里免费食宿啊），于是丧心病狂地对可能的证人做“自杀式攻击”，这也许符合多次进过“号子”的恶棍的思维、行为习惯。
　　
　　另外也令人奇怪的是，为什么吕教授和清华大学方对这些恶意诽谤诬陷网页一直都未作任何回应？这也让很多人不理解，但相信清华人自有更好的对策。不过，还是希望能看到一些清华人反击的文字和行动，使犯罪嫌疑人早日露出原型，消除其造成的不良影响。
　　
　　要了解更详细的真相，可能就要等着看司法机关对犯罪分子的判决啦。听有关法律专家讲，如此编造、散布这些恶意诽谤、诬陷信息的犯罪嫌疑人肯定会被追究刑事责任，最终将落得搬起石块砸烂自己头的结果。我想网友们也都应该同意，为了净化一点社会环境，应当尽早把这类社会渣滓收监处刑。

　　作者：晓评

　　在查阅文献时，发现浙江大学教授叶志镇和Haoqiang Zhang等人的两篇关于
GaN的英文论文完全相同，投稿日期相差几天，完全属于一稿多投（见附件第一
组）。进一步发现另外5篇英文论文，和上述两篇论文的内容和图谱基本相同，
只是图谱和文字略有增减（见附件第二组）。太厉害啦，同样的内容竟然搞成了
7篇英文论文，发表在不同的国际杂志上，恐怕是绝无仅有了！

　　这激起我强烈的打假兴趣，在网上搜索了一番，被彻底雷倒，问题还更严重。
叶志镇等人多次、多批量的一稿两投、甚至一搞三投（见附件第三～七组），触
目惊心！有的论文文字图谱完全一样，有的部分论文图谱基本一样，文字略有变
动。分投了不同的杂志，但叶志镇等人似乎精通反打假术，在abstract和作者顺
序以及作者姓名的翻译方法上精心作了改变。

　　简单搜索，就发现了浙江大学叶志镇教授七组（十九篇）重复投稿的论文
（见附件），时间跨度从1999年至2003年，部分文章第一作者是他本人。朋友若
有兴趣和耐心的话，可以继续搜索，相信还会有更大突破。

　　一稿多投的数目之大，范围之广，实在令人乍舌！如此的学术道德，浙江大
学如何能够容忍？奇怪的是，居然一直没有人发现? 浙江大学Sci论文数量最近
排在高校前列，难道是这样写出来的？

　　叶志镇何许人也？从浙江大学校网上介绍可知：叶志镇是浙江大学的牛人之
一。叶志镇,教授，博导，1955年5月28日生，1987年毕业于浙江大学光仪系并获
博士学位。现任浙大材料与化工学院副院长，硅材料国家重点实验室主任，浙大
纳米科学与技术中心主任。中国电子学会第五届理事、中国电子材料委员会委员、
半导体与集成技术委员会委员；中国有色金属半导体材料委员会委员；浙江省纳
米材料协会副理事长；《半导体学报》、《科技通报》、《材料科学与工程》编
委等。93年获国家教育部优秀年青教师基金，94年被评为全国国家重点实验室全
国先进工作者并获“金牛奖”；95年遴选为浙江省首批“中青年学术带头人”；
96年入选国家教育部“跨世纪优秀人才培养计划”；97年入选国家“百千万人才
工程”第一、二层次培养计划；98年享受国务院特殊津贴。国内外期刊上发表论
文175篇，被SCI收录65篇、EI收录75余篇。

　　牛人啊！牛人。

　　附件：叶志镇重复发表论文的清单

　　第一组论文：

　　（以下两篇论文文字图谱几乎一模一样，作者姓名巧妙改变）

　　1. An investigation on the epitaxial growth of GaN film on
Si(111) substrate，H. X. Zhang, Z. Z. Ye, B. H. Zhao，Journal Of
Materials Science Letters 19 (2000) 529– 531

　　2. Investigation of preparation and properties of epitaxial
growth GaN “lm on Si(1 1 1) substrate，Haoxiang Zhang, Zhizhen Ye,
Binghui Zhao，Journal of Crystal Growth 210 (2000) 511-515

　　第二组论文：

　　(以下四篇论文在第一组论文基础上，增减少量图谱，内容基本一样)

　　1. An investigation of structural, optical and electrical
properties of GaN thin films grown on Si(111) by reaction evaporation，
Haoxiang Zhang, Zhizhen Ye, Binghui Zhao，Solid-State Electronics 46
(2002) 301–306

　　2. Hexagonal GaN epitaxial growth on silicon (111) by a
vacuum reactive evaporation， Haoxiang Zhang, Zhizhen Ye, and Binghui
Zhao，phys. Stat.sol. (a), 177(2000)485

　　3. Epitaxial growth of wurtzite GaN on Si(111) by a vacuum
reactive evaporation， Journal of Applied Physics Vol. 87, No. 6,
(2000)，2830－2833

　　4. Structure and photoluminescence characterization of GaN
film grown on Si (111) substrate，Ye ZHI-zhen, Zhang HAO-xiang, Lu
HUAN-ming, Zhao BIN-hui, CHIN.PHYS.LETT.,Vol.16, No.4.(1999)293

　　5. X-ray diffraction, photoluminescence and secondary ion
mass spectroscopy study of GaN films grown on Si(111) substrate by
vacuum reactive evaporation, Haoxiang Zhang, Zhizhen Ye, Binghui Zhao
and Hongxue Liu, Semicond. Sci. Technol. 15 (2000) 649–652.

　　第三组论文：

　　（以下三篇论文内容基本相同，连文字也改变较少，作者名字顺序稍作改变。
其中第2篇和第3篇几乎一字未改）

　　1. 掺碳锗硅合金最新研究进展，亓震，叶志镇，材料科学与工程，
第16 卷第3期, (1998)22

　　2. 掺碳锗硅合金的制备及其性能研究进展，亓震，叶志镇，黄靖云，
卢焕明，赵炳辉，半导体光电，第20 卷第3期, (1999)154

　　3. 锗硅碳合金的制备及其性能研究进展，亓震，卢焕明，赵炳辉，
黄靖云，叶志镇，半导体技术，第24 卷第5期, (1999)1

　　第四组论文：

　　（以下两篇中文论文内容基本相同，连文字也改变较少，作者名字顺序稍作
改变。）

　　1. UHV/CVD外延生长锗硅碳三元合金中碳的应变缓解效，叶志镇，
章国强，亓震，黄靖云，卢焕明，赵炳辉，汪雷，袁骏，第21卷第3期，半导体
学报，Vol. 21. No. 3， (2000)239

　　2. 锗硅碳合金中碳的应变缓解效应研究，章国强，黄靖云，亓震，
卢焕明，赵炳辉，汪雷，叶志镇，材料科学与工程，第18 卷第1 期, (2000)25

　　第五组论文：

　　（以下两篇论文内容基本相同，连文字也改变较少，作者名字顺序稍作改
变。）

　　1. Effects of oxygen pressure on the c -axis oriented
growth of LiNbO3 thin film on SiO2/Si substrate by pulsed laser
deposition， Xinchang Wang，Junhui He，Jingyun Huang, Binghui Zhao,
Zhizhen Ye? Journal of Materials Science Letters 22, 2003, 225– 227

　　2. Growth and characterization of C -oriented growth of
LiNbO3 thin film on Si (100) by PLD, Xinchang Wang，Zhizhen Ye, Junhui
He, Jingyun Huang, Binghui Zhao, International Journal of Mordern
Physics, Vol.16, Nos.28-29, (2002)4343

　　第六组论文：

　　（以下三篇外文论文内容基本相同，图谱也基本相同）

　　1. A novel technique to grow Ge quantum dots on porous Si
by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition, Jingyun Huang, Zhizhen
Ye, Lei Wang，Journal of Materials Science Letters 21, 2002, 129– 131

　　2. Area preferental nucleation of Ge nano-dots on nano-size
porous silicon, Jingyun Huang, Zhizhen Ye, Haiyan Zhang, Xianfeng Ni,
Materials Research Bulletin, 37(2002)793

　　3. Photoluminescence of Ge quantum dots prepared on porous
silicon by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition, Jingyun Huang,
Zhizhen Ye, Binghui Zhao, Xiangyang Ma, Yadong Wang, Applied Physics
Letters, Vol. 78, No. 13, ( 2001)1858

　　第七组论文：

　　（以下两篇论文内容和图谱基本相同，连文字也改变较少。）

　　1. Effect of substrate temperature on the properties of
Zn1-xMgxO films on silicon, Zou Lu, Ye Zhizhen, Huang Jingyun, Zhao
Binhui, International Journal of Mordern Physics, Vol.16, Nos.28-29,
(2002)4255-4258

　　2. Structure and charactrization and photoluminecent
preperties of Zn1-xMgxO films on silicon, ZOU Lu, YE Zhi-zhen, HUANG
Jing-yun, ZHAO Bin-hui, CHIN.PHYS.LETT., Vol.19, No.9. (2002)1350

(XYS20081229)

作者：little5522 提交日期：2009-2-23 12:40:00 访问：2363 回复：50

近日网上爆出猛料：清华大学汽车工程系教授、博士生导师、中国农工民主党主要成员吕振华，为博虚名，窃取国外汽车杂志上别人的论文，公然以自己名义发表。对于这种丑闻，吕振华竟大言不惭地公然宣称：中国汽车缺少的就是“抄袭”精神。在这里，他把自己的抄袭行为和中国汽车借鉴国外的成功经验划上等号，其行为令人作呕。
　　
　　其实，抄袭论文这样的事情对于人品卑劣的吕振华来说，简直算不了什么？吕振华所做的其它事情更令人发指。我的好友王丽蓉—-吕振华的第一个博士生，有一次晚上加班试验后被禽兽成性的吕振华强行奸污，事后，吕利用清华教授的身份对她百般威胁，以期达到长期占有的目的。我友做为一个弱女子，在这种情况下，为保全名声，只好长期忍受凌辱，最终含愤远走它乡深居不出。精神和心灵都受到极大摧残！！中国汽车业极有前途的一位女科学工作者就这样被湮没。
　　
　　这件事发生后，吕振华却毫无愧意，还在许多私下的场合把这件事做为吹嘘的资本，令人听来发指。我们不禁要问，这个清华教授，是教授还是禽兽？？？